原子级“羽翼”诞生！InSe晶圆让芯片跑出后硅速度

你是否想过，让手机多用一天、笔记本不再烫手的秘诀，其实藏在一张比头发丝还薄十万倍的“薄膜”里？北京大学与中国人民大学联合团队近日宣布，已成功拉制出直径5厘米的二维硒化铟（InSe）单晶晶圆。业内评价，这是后硅时代芯片材料的首次“成人礼”。  

传统硅片走到3 nm关口，漏电与发热像两道紧箍咒，越缩越痛。InSe凭借原子级超薄身材和超高电子迁移率，被视作“救火队员”。难点在于：铟、硒两元素“脾性”不合，高温下常“闹分家”，晶圆极易夹带缺陷，过去只能手工剥出微米小片。  

研究团队把非晶薄膜放进“液态铟蒸笼”，让原子重新排队，十分钟便长出镜面级晶圆。首批10 nm沟道晶体管实测开关速度比3 nm硅芯片快三倍，能耗却只剩十分之一。  

对普通用户而言，这意味着：  

• 手机重度续航或延长整整一天；  

• 轻薄本跑AI不再烫键盘；  

• 折叠屏弯折万次仍信号满格。  

未来两年，团队将携手产业伙伴推进2英寸到8英寸晶圆的工艺放大。当电子在InSe的原子跑道上疾驰，后硅时代的性能红利，即将走进每个人的口袋。