三菱电机功率半导体技术突破，碳化硅与硅基器件双轨布局引领行业变革

三菱电机在2025PCIM Asia展会上的展示彰显了其在功率半导体领域的技术实力。作为全球创新领导者，公司展出了包括中功率空调用Compact DIPIPMTM、新能源应用第8代IGBT模块、电动汽车专用J3系列SiC功率模块在内的多款创新产品，展现了完整的技术布局。

技术创新与市场拓展正同步推进。在近期举行的媒体发布会上，三菱电机详细阐述了"创新功率器件构建可持续未来"的发展理念，公司高层就业务概况、技术路线图和产品特色进行了深入解读。从财务表现来看，公司2025财年营收达55217亿日元，营业利润3918亿日元，创下历史新高，半导体业务板块营收2863亿日元，展现出强劲的发展势头。

双轨技术战略正加速落地实施。三菱电机坚持硅基与碳化硅技术并行发展路线，其中硅基IGBT已演进至第8代，通过采用CSTBT™技术和超薄晶圆等创新，显著降低了导通与开关损耗。在碳化硅技术领域，公司推出的第4代沟槽栅SiC-MOSFET通过优化结构设计，使比导通电阻较传统平面结构降低50%以上，并提供了针对双极性退化问题的差异化解决方案。

新一代产品系列正推动产业升级。Compact DIPIPMTM系列采用第3代RC-IGBT技术，封装尺寸较前代缩小约47%，工作温度范围扩展至零下40摄氏度，增强了产品在严寒地区的适用性。面向新能源应用的LV100封装第8代IGBT模块将额定电流提升至1800A，输出功率较第7代提高25%，而J3系列SiC功率模块则以其紧凑型封装和低电感设计，满足不同功率等级的电动汽车主驱需求。

产能布局正有序推进以支撑未来发展。三菱电机位于熊本县的8英寸SiC晶圆工厂计划于2025年11月投产，福冈县的模块封装与测试新工厂则将于2026年10月投入运营，这些举措将显著提升公司的市场供应能力。按照技术路线图，公司计划在2028年推出第5代SiC-MOSFET，并将电压等级扩展至6.5kV，同时持续推进第9代IGBT的研发工作。

       通过持续的技术创新和产能扩张，三菱电机正巩固其在全球功率半导体市场的领先地位。凭借在硅基和碳化硅技术的双重优势，公司将持续为新能源、电动汽车等关键领域提供先进的功率半导体解决方案，为推动全球能源转型和可持续发展作出积极贡献。